|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
📡 Промисловий GaN-модуль перешкод (2500–4000 МГц, 100 Вт)
Професійний високочастотний модуль на базі передової технології GaN (нітрид галію), розроблений для створення інтенсивних радіоперешкод у широкому діапазоні частот. Завдяки вихідній потужності до 100 Вт, пристрій забезпечує гарантоване придушення сигналів LoRa, Wi-Fi, LTE, 5G та інших сучасних IoT-протоколів.
🚀 Ключові переваги:
- Технологія GaN: Забезпечує найвищий ККД, виняткову термостійкість та стабільну роботу під критичними навантаженнями.
- Висока щільність завади: Потужність 100 Вт дозволяє створювати надійний захисний бар'єр на значних відстанях.
- Широкосмуговість: Охоплює критичні діапазони сучасного зв'язку в межах одного модуля (2.5–4.0 ГГц).
Надійне охолодження: Алюмінієвий корпус із розвиненою системою ребер для ефективного відведення тепла.
📊 Технічні характеристики:
Частотний діапазон: 2500–4000 МГц
Вихідна потужність: 100 Вт
Тип підсилювача: GaN (Gallium Nitride)
Посилення (Gain): >50 дБ (стабілізоване)
Живлення: 23 В постійного струму (DC)
Робоча температура: від -40°C до +65°C
Вага: ~1.2 кг
🔌 Інтерфейси та монтаж:
1. RF вхід: SMA-female
2. RF вихід: Тип N (High Power) — для мінімізації втрат на виході.
3. Конструктив: Компактний корпус, адаптований для монтажу в стійку або інтеграції в складні системи РЕБ.
📍 Сфери застосування:
1. Радіоелектронна боротьба (РЕБ): Нейтралізація каналів керування та телеметрії.
2. Оборона об'єктів: Захист від витоку інформації та несанкціонованого зв'язку.
3. Тестування: Лабораторні дослідження стійкості телеком-обладнання.
4. Мобільні системи: Створення переносних та автомобільних комплексів придушення.