|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
Високопродуктивний GaN-модуль, розроблений для придушення радіосигналів у верхній частині L-діапазону (1.3–1.4 GHz). Використання нітриду галію (GaN) дозволяє досягти стабільного та потужного випромінювання, що робить цей модуль ідеальним компонентом для систем РЕБ, орієнтованих на захист від сучасних цифрових засобів зв'язку та БПЛА.
🚀 Ключові технологічні переваги:
-
Передова технологія GaN: Напівпровідники на основі нітриду галію забезпечують вищий ККД порівняно з традиційними модулями, що дозволяє працювати на високих струмах з меншим виділенням тепла.
-
Захист вихідного каскаду (Циркулятор): Вбудований циркулятор оберігає внутрішні компоненти від перегріву та виходу з ладу при високому коефіцієнті відбиття (КСВ), наприклад, при роботі з антеною без узгодження. 🛡️
-
Висока щільність шуму: Частота оновлення завади 137 kHz гарантує "непрозорий" бар'єр, що ефективно блокує передачу даних навіть у вузьких частотних вікнах.
-
Стійкість до вібрацій та температури: Міцний корпус та якісна збірка дозволяють експлуатувати модуль при температурах від -10°C до +55°C.
⚙️ Технічні характеристики:
-
Робочий діапазон частот: 1300–1400 MHz
-
Вихідна потужність (P-out): 50–70 Вт 🔥
-
Робоча напруга: 24–28 В
-
Споживання струму: 4.5–5.5 А
-
Частота оновлення завади: 137 kHz
-
Пульсація пропускної здатності: ≤2 dB